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中国电科成功实现大尺寸碳化硅单晶片激光剥离
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【摘要】：
近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。
2所激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。
下一步，2所激光剥离项目将以“大尺寸化、快速生产化、高良率化、全自动化、低能耗化”为目标，迅速开展由碳化硅晶锭至合格衬底片的自动化设备贯线，为解决第三代半导体关键技术问题贡献力量。
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